Tinh thể đơn In2Se3 được trồng bằng cách vận chuyển hơi vật lý (PVT) cũng như kỹ thuật Bridgman. Không giống như các In2Se3 khác, giai đoạn của sản phẩm này được kiểm soát cẩn thận bằng cách sau các bước tinh chế tổng hợp tỉ mỉ và các mảnh có tinh thể cao. Pha alpha là dạng ổn định nhất của In2Se3 làm cho nó lý tưởng cho nghiên cứu 2D. Các mảnh được lớp hoàn hảo, các tấm trong phẳng được sắp xếp hoàn hảo theo hướng (002) như được xác định bởi XRD và 4 góc XRD (đường cong dao động). Trong số lượng lớn, các tinh thể hiển thị khoảng cách băng tần 1,41 eV và cho thấy đỉnh Raman mạnh mẽ.

Tính chất của tinh thể lớp In2Se3